国产内存大突破！长鑫存储量产 12 层堆叠 HBM，追平韩系仅差 3 年

4 月 9 日消息：据报道，中国存储芯片制造商——长鑫存储（CXMT），已启动"12 层高带宽内存（HBM）”的大规模生产。

12层堆叠技术的落地，让长鑫存储具备了进入最高端AI硬件生产领域的能力。中国存储厂商与韩国头部企业自产业发展初期就存在的技术差距，正在显著缩小。

长鑫存储正式进入HBM专业领域仅三年，就实现了12层HBM量产的关键突破。HBM制造的核心难点，是包含DRAM层精准键合在内的垂直堆叠高难度制程。长鑫存储对这项技术的完整掌握，直接体现了中国本土半导体生态已达到先进发展水准。

产业观察家表示，三星电子、SK海力士常年主导全球HBM市场，目前长鑫存储与两家韩系龙头的制造能力差距，已经缩短至不到三年。

在量产布局上，长鑫存储选择以产能规模扩大市场影响力。报道显示，该公司将DRAM总产能的约20%全部投入HBM制造，完成产能转型后，其HBM月晶圆产能可达6万片。目前长鑫存储的生产良率仍低于韩国竞争对手，其现阶段核心目标是全面满足国内AI产品的市场需求，同时为未来进军国际市场做战略布局。

为维持发展势头、扩大产能规模，长鑫存储正计划通过IPO募集42亿美元资金。这笔资金将用于新建HBM生产设施、升级现有DRAM制造中心。

目前该公司正与国内外设备供应商密切合作，核心生产基础设施预计2026年完成建设，资金也将助力其进一步优化键合技术与热管理系统。

长鑫存储12层HBM产品的落地，给三星、SK海力士等市场头部企业带来了越来越大的竞争压力。后者必须加速推进更先进的制造技术，才能维持行业领导地位。

产业专家预测，全球存储产业竞争的下一阶段，将聚焦16层堆叠与混合键合技术的研发与落地。