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比 DRAM 快 1000 倍!新存储器件实现 40 皮秒切换,几近零发热
5 月 21 日消息:东京大学研究团队在自旋电子存储领域取得重要进展,成功演示了一种基于反铁磁材料锰锡(Mn₃Sn)的非易失性磁切换器件
2026-05-21
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