2026-06-15 18:06:21

长鑫存储LPDDR5X成功量产:无EUV制程跃升至1z先进节点,助力华为旗舰机

摘要
6月15日消息,SemiAnalysis旗下的STEEL实验室近日发布了对华为Mate 80 Pro搭载的麒麟9030 Pro芯片的深度拆解报告。报告确认,16GB版的Ma...

6月15日消息,SemiAnalysis旗下的STEEL实验室近日发布了对华为Mate 80 Pro搭载的麒麟9030 Pro芯片的深度拆解报告。

报告确认,16GB版的Mate 80 Pro Max同时使用了三星和长鑫存储(CXMT)的LPDDR5X内存颗粒,封装时间为2025年第45周,表明国产内存已大规模进入华为旗舰供应链。

长鑫存储LPDDR5X成功量产:无EUV制程跃升至1z先进节点,助力华为旗舰机

分析显示,长鑫存储的LPDDR5X芯片密度达到约0.3Gb/mm²,与国际大厂的1z工艺水平相当。

在DRAM代际划分中,1x、1y、1z为10nm级前三代,1z工艺属于12-14nm,是DRAM先进制程的门槛,这表示长鑫正式跻身国际主流内存技术玩家行列。

在EUV设备受限背景下,长鑫正通过3D DRAM等新技术路径寻求赶超。这是国产DRAM首次大规模进入高端旗舰手机供应链。

此前国产内存主要应用于中低端机型,本次进入华为旗舰供应链,是国产存储产业的重要进展节点。

受益于AI带来的存储超级周期,长鑫存储业绩迎来爆发式增长。财报显示,2026年Q1营收508亿元,同比增长719%;归母净利润247.6亿元,实现扭亏为盈。

截至2025年末,长鑫存储合肥和北京基地DRAM月产能约28万片,占全球DRAM产能的8%。2026年起产能将进一步扩张,全球DRAM市占率预计将提升至15%。

长鑫存储LPDDR5X成功量产:无EUV制程跃升至1z先进节点,助力华为旗舰机

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