苹果iPhone 18 Pro主板图揭秘：擅自扩容可能导致报废，散热双层设计被放弃

7月7日消息，6月下旬，苹果在印度布局的最核心供应商之一——塔塔电子，遭遇重大网络安全事件。尚处于内部保密阶段、尚未正式发布的iPhone 18相关资料，被黑客提前泄露。

这次泄露流出的所有内容里，技术参考价值最高的就是iPhone 18 Pro系列的完整主板设计图，图中可以确认，苹果沿用了多年的双层主板夹心SoC方案，已经被彻底摒弃。

从泄露的iPhone 18 Pro主板设计图能直观看到，苹果保留了此前广受好评的L型异形主板设计，同时把A20 Pro芯片直接外置到主板表层。

这样的设计是让SoC可以直接和机身内部的散热石墨、VC均热板等散热介质直接接触，热量不需要穿透多层PCB板就能向外散发，芯片工作的整体热阻得到大幅降低，长时间高负载运行的温控表现会有明显提升。

除此之外，iPhone 18 Pro原本直接外露的NAND闪存，被调整到了两层主板的中间夹层位置，机身外层完全没办法直接接触到硬盘芯片。

后续如果用户想要做手机硬盘扩容操作，必须先通过高温把双层主板加热分层，更换完对应容量的硬盘芯片之后，还要重新做植锡工艺把两层主板精密贴合到一起，整个操作的工艺难度、耗费工时、操作报废风险都有大幅提升，稍有不慎甚至可能直接导致整台手机报废。

从泄露的主板设计图上还能确认，高通骁龙X80 5G基带支持6Rx接收能力，下行速率10Gbps上行速率3.5Gbps，搭配高通SDR740双射频IC、多组独立影像供电芯片，包括广角供电U6100、长焦供电U6300、LiDAR供电U6400、相机主电源U5600，以及UWB超宽带模块U_ARROW_R等硬件配置，都属于Pro系列的常规迭代升级，没有爆出超出预期的黑科技配置。