7月17日消息，据报道的硅基单电子存储（55 mV、维持5秒）相比，此次成果将室温下单电子量子态信号放大了近一个数量级，并实现了真正的非易失性。该研究将电荷存储的信息密度推至理论极限——实现<strong>一电子一比特</strong>，为面向人工通用智能（AGI）的高密度存储器研发提供了全新技术路径。
人工智能的竞争，本质上是算力效率的竞争，而算力效率的瓶颈往往不在算力本身，而在于数据搬运的速度与能耗。二维闪存的战略价值，不仅在于单项指标的突破，更在于它赋予AI算力系统“存储即计算”的全新可能——数据就地存放、近乎零延迟调用、断电不丢失。
这将从根本上重塑现有AI芯片“高速缓存+慢速硬盘”的分层架构，大幅降低因数据迁移造成的算力损耗与能源浪费，为中国AI产业构筑底层能效壁垒。
这一突破意味着，未来手机、电脑、服务器有望搭载超高速、超大容量、非易失的存储芯片，支持在本地运行更大参数的AI模型，且功耗更低。
随着存储性能提升，终端AI助手的响应速度将更快、上下文记忆更长，无需反复解释历史对话，能像真正的智能体一样记住久远前的交流。当存储速度与计算速度匹配，算力将不再被存储“拖后腿”。
与硅工艺兼容的“归壹”单电子存储器件
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