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韩日联手应对:AI内存散热难题与DRAM芯片新解决方案
7月11日消息,韩国和日本的研究人员在2026年IEEE JSAP VLSI技术与电路研讨会上,提出了两种全新的HBM(高带宽内存)方案,核心思路惊人一
2026-07-11
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