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我国成功研发三维多层片上电容 可广泛应用于高端芯片技术
6月16日消息,据报道,湖北江城实验室近期在片上电容领域取得了重大技术突破,成功研制出三维多层片上电容,其电容密度突破了每平方毫米100
2026-06-16
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